普林斯頓 VersaSTAT4電化學(xué)工作站

產(chǎn)品介紹：普林斯頓 VersaSTAT4電化學(xué)工作站
全新杰出設(shè)計(jì)之上，提供您更加高速，靈活和高精度的性能，滿足您一系列的高級(jí)電化學(xué)應(yīng)用。
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2024-07-18
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
產(chǎn)品品牌：其他品牌
產(chǎn)品廠地：廣州市
訪問(wèn)次數(shù)：3323
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產(chǎn)品介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)
價(jià)格區(qū)間	面議	儀器種類	電化學(xué)工作站

普林斯頓 VersaSTAT4電化學(xué)工作站

概要
VersaSTAT 4 電化學(xué)工作站建立在VersaSTAT 3電化學(xué)工作站的全新杰出設(shè)計(jì)之上，提供您更加高速，靈活和高精度的性能，滿足您一系列的高級(jí)電化學(xué)應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)最大電流增強(qiáng)為1A，同時(shí)提供20A的電流放大器選項(xiàng)，使得你的研究從初期的的電池研發(fā)，燃料電池研究，到最終成品電池的充放電實(shí)驗(yàn)都能在此臺(tái)儀器上實(shí)現(xiàn)，同時(shí)也面對(duì)下一代新型電池研究的挑戰(zhàn)。 fA分辨率及pA精度的低電流設(shè)計(jì)，使得低電流應(yīng)用研究成為可能，例如傳感器，腐蝕，抑制劑，以及結(jié)合可選的FRA進(jìn)行涂層技術(shù)研究。附加的模擬濾噪，給電流測(cè)試添加帶寬濾波，給電容性電解池增加穩(wěn)定性，使VersaSTAT 4成為腐蝕應(yīng)用研究的更加選擇。VersaSTAT 4 以其在VersaSTAT系列中最杰出的性能，滿足您各種研究應(yīng)用需求。

普林斯頓 VersaSTAT4電化學(xué)工作站

特征

增強(qiáng)的fA分辨率及pA精度的低電流性能
高達(dá) 1A 的標(biāo)配電流輸出，同時(shí)提供多種電流放大器選項(xiàng)2A-20A
2µs時(shí)間分辨率，確保快速數(shù)據(jù)采集及掃描速度
附加的電流及電壓模擬濾噪功能，提供更杰出性噪比的測(cè)量
內(nèi)建FRA頻響分析儀（可選），支持電化學(xué)阻抗測(cè)試，頻率范圍10μHz－1M Hz
標(biāo)配 VersaStudio 軟件

技術(shù)參數(shù)

數(shù)據(jù)采集
數(shù)據(jù)采集	3 x 16 bit 500k 樣品/秒數(shù)模轉(zhuǎn)換同步電位/電流/輔助
時(shí)間分辨率	2µs (500k 樣品/秒)
自動(dòng)噪音濾波	可用
功率放大器
輸出電壓	±12V
輸出電流	±1A (標(biāo)配) ±2A (內(nèi)置選配)
恒電位帶寬	1 MHz
穩(wěn)定性設(shè)定	高速/高穩(wěn)定性 (可根據(jù)具體試驗(yàn)設(shè)置)
切換速度	>8V/µs
上升時(shí)間 (-1.0V to +1.0V)	<350 ns
電位控制 (恒電位模式)
施加電位范圍	±10V
施加電位分辨率	for ±10mV signal = 300nV for ±100mV signal = 3µV for ±1V signal = 30µV for ±10V signal = 300µV
施加電位精度	±0.2% of value ±2mV
最大掃速	5000 Vs-1 (50 mV step)
最大掃速范圍及精度	±10V / 300µV
電流控制 (恒電流模式)
施加電流范圍	±1A (標(biāo)配), ±2A (內(nèi)置選配)
施加電流分辨率	±1/32,000 x 全量程
施加電流精度	±0.2% of reading, ±0.2% of range
最大電流量程/分辨率	±1A / 60µA
最小電流量程/分辨率	±4nA / 120fA
差分靜電計(jì)
最大輸入范圍	±10V
帶寬	≥10MHz (3dB)
輸入阻抗	≥1012 Ω in parallel with ≤5pF (typical)
漏電流	≤5pA at less than 25°C
CMRR	60 dB at 100kHz (typical)
電位測(cè)量
電位測(cè)量范圍	±10V
最小電位分辨率	6µV
電位精度	±0.2% of reading ±2mV
電流測(cè)量
電流測(cè)量范圍	自動(dòng)量程 (10 量程) 1A to 4 nA (8 量程) 2A to 4nA (內(nèi)置選配)
電流分辨率	120fA (4nA 量程)
電流精度 (DC)	20nA to 2A: ±0.2% of reading, ±0.2% of range 4nA: <0.5% ±20pA
帶寬	1MHz (signal ≥2mA range typical)
帶寬噪聲濾波功能	有, 5檔
阻抗模塊 (EIS) 選件
模式	電位控制/電流控制
頻率范圍	10µHz to 1MHz
最小交流電壓幅值	0.1mV RMS
掃描方式	線性 or 對(duì)數(shù)
iR 補(bǔ)償
正反饋	有
動(dòng)態(tài) iR 補(bǔ)償	有
接口 (標(biāo)配)
數(shù)字輸入/數(shù)字輸出	5 TTL logic 輸出, 2 TTL logic 輸入
輔助電壓輸入	同步測(cè)量電壓及電流; ±10V 范圍, 輸入阻抗10kΩ; Filter: off, 1kHz, 200kHz; BNC connector
數(shù)模轉(zhuǎn)換電壓輸出 (標(biāo)配)	±10V 范圍, 輸出阻抗1kΩ; BNC connector (用于攪拌器，旋轉(zhuǎn)盤電極等)
計(jì)算機(jī) / 軟件
通訊接口	USB模式
操作系統(tǒng)	Windows XP Professional (preferred) or Windows 2000 / VISTA / Windows 7
PC 配置 (至少需求)	Pentium 4 (1GHz) / 1GB memory 高數(shù)據(jù)采集需要大內(nèi)存
軟件	VersaStudio
常規(guī)
電壓	250VA Max. Voltage range 90Vac to 250Vac, 50-60Hz
尺寸（長(zhǎng)X寬X高）	16¼” x 15¼” x 3½” 421 x 387 x 89mm
重量	10lbs, 4.5kgs
使用環(huán)境溫度	10°C to 50°C
濕度	Maximum 80% non-condensing
理想溫度	25°C
Dummy Cell 模擬電解池	內(nèi)置 (DC only)
CE 認(rèn)證	通過(guò)

選件

2A 大電流選項(xiàng)	型號(hào)
±2A 大電流選項(xiàng)，支持化學(xué)電池、燃料電池及電鍍應(yīng)用	2A/VersaSTAT4
FRA 頻率響應(yīng)選項(xiàng)
內(nèi)置頻率響應(yīng)選項(xiàng)，滿足電化學(xué)阻抗分析，頻率范圍10µHz to 1MHz	FRA/VersaSTAT4
高級(jí)混合輸入接口Advanced Auxiliary Interface
此 AAI 選項(xiàng)，允許附加一個(gè)帶有4個(gè)A/D轉(zhuǎn)換輸入接口，使得Versastudio software 通過(guò)VersaSTAT主機(jī)獲得更多記錄數(shù)據(jù)。	AAI/VersaSTAT4
電流放大器
在電流放大及通常操作模式之間轉(zhuǎn)換，僅需簡(jiǎn)單的電纜連接。	8A/VersaSTAT4 10A/VersaSTAT4 20A/VersaSTAT4
電化學(xué)池選件
Corrosion Cell Kit 腐蝕電解池	K0047
Corrosion Flat Cell 平板電解池	K0235
Micro-Cell Kit 微電解池	K0264
Analytical Cell Kit 分析電解池	RDE0018
Tait Cell 涂層評(píng)價(jià)池	K0307
輔助附件
滴汞儀附件	303A
model 303A 滴汞儀附件接口	507
石英晶體微天平	QCM922
旋轉(zhuǎn)盤電極	616
旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極	636